上海新阳上半年净利润8681万元，同比增长776%

2023-08-27 08:06:10 来源：面包芯语小 中

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文

8月26日，上海新阳发布2023年半年度报告称，报告期内，公司实现营业收入5.51亿元，较去年同期增长0.41%；实现归属于上市公司股东的净利润为8,681万元，同比增长776%。

(资料图片)

其中，公司半导体行业实现营业收入3.39亿元，同比增长6.27%，集成电路制造用关键工艺材料系列产品收入稳定增长。其中，先进封装用电镀液及添加剂系列产品市场份额快速增长，集成电路制造用干法蚀刻后清洗液产品在客户端认证顺利，增长迅速。

涂料业务受下游房地产市场及原材料价格大幅波动等不利影响，2023年上半年实现营业收入2.08亿元，较去年同期下降7.14%。

上海新阳表示，在集成电路制造用清洗液产品方面，28nm干法蚀刻后清洗液产品已规模化量产，14nm技术节点后干法蚀刻后清洗液也已量产并实现销售，公司干法蚀刻后清洗液产品已经实现14nm及以上技术节点全覆盖。本报告期干法蚀刻后清洗液产品销售规模不断扩大，广泛应用于逻辑电路、模拟电路、存储器件等晶圆制造客户。其中，铝互连干法蚀刻后清洗液长期受制于国外唯一原材料供应商限制，面对先进制程所需的配套材料亦需国产化的现状，公司自主研发攻关的“卡脖子”的关键原材料项目——非羟胺项目，已开发出满足晶圆制造企业要求的无羟胺干法蚀刻后清洗液产品，并在国内主流晶圆制造客户端通过验证，报告期内该项目产品的清洗能力不断提升。公司报告期内开发的钨残留去除液一次性通过客户测试验证，并取得订单，新产品的开发销售将不断拓展公司清洗液产品应用市场。在公司原创开发的蚀刻液产品方面，公司深入研发，做好前瞻性研究和技术储备，进一步扩大市场应用，引领行业发展，本报告期开发的新一代高选择比氮化硅刻蚀液已通过电性测试。

在集成电路制造及先进封装材料领域，随着芯片技术的向前发展，推动芯片朝着高性能（大功率、高算力）和轻薄化（体积/面积小）两个方向提升，芯片铜互连成为主流互连工艺技术。电镀系列产品——大马士革工艺、硅通孔工艺（TSV）、凸点工艺（Bumping）广泛应用，来实现金属之间的互联。公司电镀液及其添加剂是实现互联技术的关键工艺材料。经过多年的开发、技术储备，以及与客户紧密的合作，报告期内公司电镀液添加剂相关产品进展顺利，应用规模持续扩大。

在光刻胶及研磨液两大类产品方面，报告期内均取得了长足的进展与突破。其中，光刻胶项目研发进展比较顺利，I线、KrF光刻胶产品工艺性能指标不断优化，以满足客户的工艺需求，目前已在超20家客户端提供样品进行测试验证，报告期内光刻胶销量持续增加，同时原料开发工作也取得阶段性成果，原料树脂的合成方案探索、工艺优化、稳定性等方面都取得突破。ArF浸没式光刻胶的研发进展也比较顺利，已在国内多家晶圆制造企业开展测试验证工作，部分型号产品已取得良好的测试结果及工艺窗口，技术指标与对标产品比较接近。报告期内光刻胶系列产品已实现营业收入超百万元。在研磨液系列产品方面，公司的化学机械研磨液（CMP）已有成熟的STISlurry、Polyslurry，Wslurry系列产品在超过10余家客户端测试验证。本报告期已有多款产品通过客户测试，实现销售，进入批量化生产阶段。

来源：集微网

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展